2024年以來(lái)，人工智能步入以生成式AI為核心的發(fā)展新階段，AI手機(jī)、AI PC、AIoT等終端產(chǎn)品應(yīng)用需求激增，對(duì)封測(cè)技術(shù)提出了更為嚴(yán)格的要求。

在摩爾定律放緩、芯片先進(jìn)制程接近物理極限的背景下，先進(jìn)封裝技術(shù)成為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展新焦點(diǎn)。

一、先進(jìn)封裝與等離子技術(shù)

●先進(jìn)封裝的必要性

與傳統(tǒng)封裝相比，先進(jìn)封裝具有小型化、輕薄化、高密度、低功耗、功能集成的優(yōu)勢(shì)，在確保成本可控的前提下，可以提升芯片間互聯(lián)的密度與速度，從而滿足日益增長(zhǎng)的芯片性能需求。

此外，先進(jìn)封裝技術(shù)還促進(jìn)了新材料、新工藝和新設(shè)備的研發(fā)與應(yīng)用，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了新的增長(zhǎng)點(diǎn)。

●等離子技術(shù)優(yōu)勢(shì)

在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，等離子技術(shù)是提高材料表面活性和改善界面粘附力的關(guān)鍵，能夠確保封裝結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和可靠性。

憑借低溫處理、高能量密度、可控性強(qiáng)、兼容性高、處理均勻等優(yōu)勢(shì)，等離子技術(shù)有助于提高生產(chǎn)效率，降低成本，推動(dòng)封裝技術(shù)向更高密度、更可靠性的方向發(fā)展，在先進(jìn)封裝中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

*微波等離子清洗機(jī)

針對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)可解決FC倒裝、晶圓PLASMA去殘膠、WB/DB鍵合前處理、晶圓表面活化。

二、等離子處理在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用

在先進(jìn)封裝中，等離子技術(shù)主要用于底部填充(Underfill)工藝、凸點(diǎn)(Bumping)工藝、再布線層(RDL)技術(shù)等。

●倒裝（Flip-Chip）工藝

通過(guò)將芯片倒裝在基板上，利用焊球或凸塊替代金屬引線連接，具有連接密度更高、互聯(lián)距離更短的優(yōu)勢(shì)。

*圖源網(wǎng)絡(luò)，侵刪

為了提高倒裝的穩(wěn)定性，通常會(huì)在倒裝后的芯片與基板之間采用填充膠加固，從而降低芯片與基板之間的熱膨脹系數(shù)差，提高封裝穩(wěn)定性和可靠性

●凸塊（Bumping）工藝

凸塊（Bumping）工藝廣泛用于FC、WLP、CSP、3D等先進(jìn)封裝中，凸塊是指生長(zhǎng)于芯片表面，與芯片焊盤(pán)直接或間接相連的具有金屬導(dǎo)電特性的突起物。

*凸塊（Bumping）工藝，圖源網(wǎng)絡(luò)，侵刪

為了實(shí)現(xiàn)更好的焊接效果，在焊接前使用等離子進(jìn)行表面活化，改善焊盤(pán)表面潤(rùn)濕性，從而提高焊盤(pán)與凸塊之間的焊接牢固性，提升后續(xù)封裝質(zhì)量。