一、RPS遠(yuǎn)程等離子源工作原理

RPS遠(yuǎn)程等離子源是一款基于電感耦合等離子體技術(shù)的自成一體的原子發(fā)生器，它的功能是用于半導(dǎo)體設(shè)備工藝腔體原子級(jí)別的清潔，使用工藝氣體三氟化氮（NF3）/O2，在交變電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用下，原材料氣體會(huì)被解離，從而釋放出自由基，活性離子進(jìn)入工藝室與工藝室上沉積的污染材料（SIO/SIN）或者殘余氣體（H2O、O2、H2、N2）等物質(zhì)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，聚合為高活性氣態(tài)分子經(jīng)過(guò)真空泵組抽出處理腔室，提高處理腔室內(nèi)部潔凈度；

     利用原子的高活性強(qiáng)氧化特性，達(dá)到清洗CVD或其他腔室后生產(chǎn)工藝的目的，為了避免不必要的污染和工作人員的高強(qiáng)度和高風(fēng)險(xiǎn)的濕式清洗工作，提高生產(chǎn)效率。

二、RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用原理

1.遠(yuǎn)程等離子的處理作用，是非常輕微的刻蝕，有一定的活性作用，主要與腔室內(nèi)部的殘余氣體發(fā)生作用。但是對(duì)腔室內(nèi)部的固體物質(zhì)，例如：腔室內(nèi)壁的金屬材料與腔室內(nèi)部的零配件，在工作時(shí)間較短（幾十分鐘）的情況下，一般只會(huì)發(fā)生淺表層的反應(yīng)，幾十納米至幾微米，因?yàn)榍皇覂?nèi)部的材質(zhì)一般是鋁合金、不銹鋼等，不容易被氧離子所刻蝕。

2.遠(yuǎn)程等離子工作時(shí)，用戶(hù)本身的鍍膜工藝是不工作的，所有沒(méi)有直接接觸到有機(jī)發(fā)光材料，就不會(huì)對(duì)有機(jī)發(fā)光材質(zhì)造成損傷。即使是直接接觸，其發(fā)生的輕微的表面作用，也不會(huì)造成損傷。

三、晟鼎RPS的優(yōu)勢(shì)

1. 主動(dòng)網(wǎng)絡(luò)匹配技術(shù)：可對(duì)不同氣體進(jìn)行阻抗匹配，使得等離子腔室獲得最大能量；

2. 等離子濃度檢測(cè)：通過(guò)檢測(cè)解離腔體內(nèi)電流判斷等離子濃度，確保等離子體穩(wěn)定；

3. 腔體損耗監(jiān)測(cè)：每次點(diǎn)火會(huì)將然弧點(diǎn)的電壓，電流，頻率，脈寬等參數(shù)進(jìn)行存儲(chǔ)，實(shí)時(shí)檢測(cè)參數(shù)變動(dòng)趨勢(shì)是否超出范圍；

4. 自研PEO表面處理工藝：自研等離子體電解氧化物涂層( PEO)；

5. 高蝕率速率：環(huán)形Plasma block可允許電子以圓周運(yùn)動(dòng)的方式行進(jìn)，并減少了電子與室壁或電極碰撞的機(jī)會(huì)，離子能量得以保留；

6. 多種通訊方式：具備模擬通信PLC IO,數(shù)字通訊RS485,USB,EtherCAT。

四、應(yīng)用領(lǐng)域與典型案例

1.CVD腔室清潔

①清潔HDP-CVD腔（使用F原子）

②清潔PECVD腔（使用F原子）

③清潔Low-k CVD腔（使用O原子、F原子）

④清潔WCVD腔（使用F原子）

2.表面處理、反應(yīng)性刻蝕和等離子體輔助沉積

①通過(guò)反應(yīng)替代（表面氧化）進(jìn)行表面改性

②輔助PECVD

③使用預(yù)活化氧氣和氮?dú)廨o助低壓反應(yīng)性濺射沉積

④使用預(yù)活化氧氣和氮?dú)膺M(jìn)行反應(yīng)性蒸發(fā)沉積

⑤等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）